Número do Produto do Fabricante:
IRF5802
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF5802-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Descrição Detalhada:
N-Channel 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventário:
12804972
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IRF5802 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
900mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 540mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
88 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
Micro6™(TSOP-6)
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Pacote padrão
100
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SI3442BDV-T1-E3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
26929
NÚMERO DA PEÇA
SI3442BDV-T1-E3-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.17
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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