Número do Produto do Fabricante:
IRF5801TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF5801TRPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 600mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventário:
9370 Pcs Novo Original Em Estoque
12803209
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IRF5801TRPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
600mA (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2Ohm @ 360mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
5.5V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
3.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
88 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
Micro6™(TSOP-6)
Pacote / Estojo
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número do produto base
IRF5801
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IRF5801TRPBFTR
IRF5801TRPBFDKR
IRF5801TRPBFCT
IRF5801TRPBF-DG
SP001570104
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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