Número do Produto do Fabricante:
IRF3711SPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF3711SPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventário:
12805440
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IRF3711SPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
20 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2980 pF @ 10 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP001576712
*IRF3711SPBF
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STB200NF03T4
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
959
NÚMERO DA PEÇA
STB200NF03T4-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.51
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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