Número do Produto do Fabricante:
IRF3415STRLPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF3415STRLPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 150 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventário:
280 Pcs Novo Original Em Estoque
12823526
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IRF3415STRLPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IRF3415
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IRF3415STRLPBFCT
SP001553944
IRF3415STRLPBFDKR
IRF3415STRLPBFTR
IRF3415STRLPBF-DG
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IXTA56N15T
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXTA56N15T-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.00
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IRFS4228PBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
4
NÚMERO DA PEÇA
IRFS4228PBF-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.29
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
PHB45NQ15T,118
FABRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
15790
NÚMERO DA PEÇA
PHB45NQ15T,118-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.77
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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