IRF3415L

Número do Produto do Fabricante:

IRF3415L

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IRF3415L-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 150V 43A TO262

Descrição Detalhada:

N-Channel 150 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-262

Inventário:

RFQ Online

12804539

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IRF3415L Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalagem

-

Série

HEXFET®

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

150 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

43A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 22A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

4V @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

200 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

2400 pF @ 25 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montagem

Through Hole

Pacote de dispositivos do fornecedor

TO-262

Pacote / Estojo

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

*IRF3415L

Pacote padrão

50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

RoHS non-compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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