Número do Produto do Fabricante:
IRF200B211
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF200B211-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
4746 Pcs Novo Original Em Estoque
12802645
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IRF200B211 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.9V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
790 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IRF200
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP001561622
INFIRFIRF200B211
2166-IRF200B211-448
2156-IRF200B211
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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