Número do Produto do Fabricante:

IRF1902PBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IRF1902PBF-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO

Descrição Detalhada:

N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventário:

RFQ Online

12809200

Solicitar Orçamento

Quantidade
Mínimo 1

(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas

ENVIAR

IRF1902PBF Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalagem

-

Série

HEXFET®

Status do produto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

20 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

4.2A (Ta)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 4A, 4.5V

vgs(th) (máx) @ id

700mV @ 250µA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

7.5 nC @ 4.5 V

Vgs (máx.)

±12V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

310 pF @ 15 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

2.5W (Ta)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

8-SO

Pacote / Estojo

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Folha de Dados & Documentos

Fichas Técnicas

Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes

*IRF1902PBF

SP001550948

Pacote padrão

95

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produtos Relacionados

infineon-technologies

IRF3711ZSTRL

MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK

infineon-technologies

IRFZ34NSTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

infineon-technologies

IRFR3704TRPBF

MOSFET N-CH 20V 75A DPAK

nxp-semiconductors

BUK7226-75A/C1,118

MOSFET N-CH 75V 45A DPAK