Número do Produto do Fabricante:
IRF150P221XKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF150P221XKMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 150 V 186A (Tc) 341W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventário:
12805345
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IRF150P221XKMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
StrongIRFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
186A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.6V @ 264µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6000 pF @ 75 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
341W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IRF150
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP001621154
IRF150P221
Pacote padrão
25
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRF150P221AKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
525
NÚMERO DA PEÇA
IRF150P221AKMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.76
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRFH5015TRPBF
MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN
IRFB7430PBF
MOSFET N CH 40V 195A TO220
IRF5210STRRPBF
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
