Número do Produto do Fabricante:
IRF1310NSTRLPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF1310NSTRLPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventário:
10386 Pcs Novo Original Em Estoque
12805610
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ENVIAR
IRF1310NSTRLPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 160W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
D2PAK
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IRF1310
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001561422
IRF1310NSTRLPBF-DG
IRF1310NSTRLPBFTR
IRF1310NSTRLPBFDKR
IRF1310NSTRLPBFCT
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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