Número do Produto do Fabricante:
IRF1310NPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF1310NPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 42A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventário:
747 Pcs Novo Original Em Estoque
12806332
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IRF1310NPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
HEXFET®
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
160W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IRF1310
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
*IRF1310NPBF
SP001553864
Pacote padrão
100
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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