Número do Produto do Fabricante:
IRF1018ESLPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF1018ESLPBF-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 79A TO262
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-262
Inventário:
12803825
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IRF1018ESLPBF Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 100µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2290 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
110W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001550908
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDP038AN06A0
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
245
NÚMERO DA PEÇA
FDP038AN06A0-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.56
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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