IRF1010ZLPBF
Número do Produto do Fabricante:

IRF1010ZLPBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IRF1010ZLPBF-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 55V 75A TO262
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-262

Inventário:

12822976
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IRF1010ZLPBF Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
HEXFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2840 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
140W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-262
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
*IRF1010ZLPBF
SP001550878
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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