Número do Produto do Fabricante:
IRF100S201
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF100S201-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 192A (Tc) 441W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventário:
2305 Pcs Novo Original Em Estoque
12803931
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IRF100S201 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
192A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 115A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9500 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
441W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IRF100
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IRF100S201CT
IRF100S201-DG
SP001550868
IFEINFIRF100S201
IRF100S201TR
IRF100S201DKR
2156-IRF100S201
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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