Número do Produto do Fabricante:
IRF100P218XKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IRF100P218XKMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 209A (Tc) 556W (Tc) Through Hole TO-247AC
Inventário:
12804191
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IRF100P218XKMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
StrongIRFET™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
209A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.28mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.8V @ 278µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
555 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
25000 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
556W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-247AC
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IRF100
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
SP001619550
IRF100P218
Pacote padrão
25
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IRF100P218AKMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IRF100P218AKMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
4.17
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRFH4209DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN
IRF7707GTRPBF
MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP
IRL3715Z
MOSFET N-CH 20V 50A TO220AB
