IQE013N04LM6ATMA1
Número do Produto do Fabricante:

IQE013N04LM6ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IQE013N04LM6ATMA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 40V 31A/205A 8TSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2.5W (Ta), 107W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-4

Inventário:

13079 Pcs Novo Original Em Estoque
12954679
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

IQE013N04LM6ATMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
31A (Ta), 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 51µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3900 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TSON-8-4
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
IQE013

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
448-IQE013N04LM6ATMA1CT
448-IQE013N04LM6ATMA1TR
448-IQE013N04LM6ATMA1DKR
SP005340902
2156-IQE013N04LM6ATMA1-448
Pacote padrão
5,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K361TU,LXHF

AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT323

vishay-siliconix

SI7483ADP-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRFP9240PBF

MOSFET P-CH 200V 12A TO247-3

vishay-siliconix

IRFZ48RPBF

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB