Número do Produto do Fabricante:

IQDH35N03LM5ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IQDH35N03LM5ATMA1-DG

Descrição:

TRENCH <= 40V

Descrição Detalhada:

N-Channel 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-U04

Inventário:

5000 Pcs Novo Original Em Estoque

13240563

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IQDH35N03LM5ATMA1 Especificações Técnicas

Categoria

FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs

Fabricante

Infineon Technologies

Embalagem

Tape & Reel (TR)

Série

OptiMOS™ 5

Status do produto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensão de drenagem para fonte (Vdss)

30 V

Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C

66A (Ta), 700A (Tc)

Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.35mOhm @ 50A, 10V

vgs(th) (máx) @ id

2V @ 1.46mA

Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs

262 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

18000 pF @ 15 V

Recurso FET

-

Dissipação de energia (máx.)

2.5W (Ta), 278W (Tc)

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Surface Mount

Pacote de dispositivos do fornecedor

PG-TSON-8-U04

Pacote / Estojo

8-PowerTDFN

Informação Adicional

Outros nomes

SP005903785

448-IQDH35N03LM5ATMA1DKR

448-IQDH35N03LM5ATMA1CT

448-IQDH35N03LM5ATMA1TR

Pacote padrão

5,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

Certificação DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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