Número do Produto do Fabricante:
IPZ60R017C7XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPZ60R017C7XKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 109A (Tc) 446W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
Inventário:
257 Pcs Novo Original Em Estoque
12804554
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPZ60R017C7XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™ C7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
109A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 58.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 2.91mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9890 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
446W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-4
Pacote / Estojo
TO-247-4
Número do produto base
IPZ60R017
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPZ60R017C7XKSA1
SP001369912
INFINFIPZ60R017C7XKSA1
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRF7321D2TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO
IRF7832PBF
MOSFET N-CH 30V 20A 8SO
IPI60R199CPXKSA2
HIGH POWER_LEGACY
