Número do Produto do Fabricante:
IPW90R120C3XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPW90R120C3XKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 900 V 36A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-21
Inventário:
36 Pcs Novo Original Em Estoque
13064092
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IPW90R120C3XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™
Empacotamento
Tube
Status da peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
900 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 2.9mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6800 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
417W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3-21
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IPW90R120
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP002548896
IPW90R120C3XKSA1-ND
448-IPW90R120C3XKSA1
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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