Número do Produto do Fabricante:
IPW65R125CFD7XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPW65R125CFD7XKSA1-DG
Descrição:
HIGH POWER_NEW
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 98W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventário:
12988685
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPW65R125CFD7XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™ CFD7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 420µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1694 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
98W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IPW65R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPW65R125CFD7XKSA1
SP005413372
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
TK7A80W,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
S2M0025120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
TK8A25DA,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
