IPW65R125CFD7XKSA1
Número do Produto do Fabricante:

IPW65R125CFD7XKSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPW65R125CFD7XKSA1-DG

Descrição:

HIGH POWER_NEW
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 98W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Inventário:

12988685
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

IPW65R125CFD7XKSA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™ CFD7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 420µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1694 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
98W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IPW65R

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
448-IPW65R125CFD7XKSA1
SP005413372
Pacote padrão
30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
toshiba-semiconductor-and-storage

TK7A80W,S4X

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

smc-diode-solutions

S2M0025120D

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

toshiba-semiconductor-and-storage

TK8A25DA,S4X

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

rohm-semi

BSS138WT106

NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI