Número do Produto do Fabricante:
IPW65R115CFD7AXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPW65R115CFD7AXKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 21A TO247-3-41
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 114W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Inventário:
12945086
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IPW65R115CFD7AXKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
*
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 9.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 490µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1950 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
114W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3-41
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IPW65R115
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPW65R115CFD7AXKSA1
2156-IPW65R115CFD7AXKSA1
SP003793162
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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