Número do Produto do Fabricante:
IPW65R095C7XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPW65R095C7XKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Inventário:
2486 Pcs Novo Original Em Estoque
12816657
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPW65R095C7XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 590µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2140 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
128W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3-1
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IPW65R095
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPW65R095C7XKSA1
SP001080128
IPW65R095C7XKSA1-DG
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRF540Z
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
CSD18503KCS
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
