Número do Produto do Fabricante:
IPW60R190P6FKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPW60R190P6FKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventário:
164 Pcs Novo Original Em Estoque
12807492
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IPW60R190P6FKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™ P6
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 630µ
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1750 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
151W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IPW60R190
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPW60R190P6
INFINFIPW60R190P6FKSA1
IPW60R190P6-DG
SP001017090
2156-IPW60R190P6FKSA1
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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