IPW60R060P7XKSA1
Número do Produto do Fabricante:

IPW60R060P7XKSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPW60R060P7XKSA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 48A (Tc) 164W (Tc) Through Hole PG-TO247-3

Inventário:

60 Pcs Novo Original Em Estoque
12818659
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IPW60R060P7XKSA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™ P7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
48A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 15.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 800µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2895 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
164W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IPW60R060

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
2156-IPW60R060P7XKSA1
ROCINFIPW60R060P7XKSA1
SP001647042
Pacote padrão
30

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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