Número do Produto do Fabricante:
IPW60R031CFD7XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPW60R031CFD7XKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 63A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventário:
376 Pcs Novo Original Em Estoque
12801340
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
PNfa
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPW60R031CFD7XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™ CFD7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31mOhm @ 32.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 1.63mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5623 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
278W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-3
Pacote / Estojo
TO-247-3
Número do produto base
IPW60R031
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001617992
IPW60R031CFD7XKSA1-DG
2156-IPW60R031CFD7XKSA1
448-IPW60R031CFD7XKSA1
IPW60R031CFD7
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IPD60R380E6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
IPI26CN10N G
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
