IPTG007N06NM5ATMA1
Número do Produto do Fabricante:

IPTG007N06NM5ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPTG007N06NM5ATMA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 53A (Ta), 454A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1

Inventário:

3576 Pcs Novo Original Em Estoque
12958794
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

IPTG007N06NM5ATMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™ 5
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
53A (Ta), 454A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.75mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.3V @ 280µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
261 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
21000 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-HSOG-8-1
Pacote / Estojo
8-PowerSMD, Gull Wing
Número do produto base
IPTG007N

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
448-IPTG007N06NM5ATMA1TR
448-IPTG007N06NM5ATMA1DKR
SP005430755
448-IPTG007N06NM5ATMA1CT
Pacote padrão
1,800

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
vishay-siliconix

SIR876BDP-T1-RE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW

infineon-technologies

IPTC015N10NM5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 35A/354A HDSOP

vishay-siliconix

IRFP264PBF

MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3