Número do Produto do Fabricante:
IPT65R105G7XTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPT65R105G7XTMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Inventário:
16 Pcs Novo Original Em Estoque
12806103
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IPT65R105G7XTMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
CoolMOS™ C7
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 440µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1670 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
156W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-HSOF-8-2
Pacote / Estojo
8-PowerSFN
Número do produto base
IPT65R105
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPT65R105G7XTMA1TR
IPT65R105G7XTMA1-DG
INFINFIPT65R105G7XTMA1
SP001456204
IPT65R105G7XTMA1CT
IPT65R105G7XTMA1DKR
2156-IPT65R105G7XTMA1
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPT65R099CFD7XTMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IPT65R099CFD7XTMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.13
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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