Número do Produto do Fabricante:
IPT60R102G7XTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPT60R102G7XTMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 141W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-2
Inventário:
585 Pcs Novo Original Em Estoque
12804697
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
on2z
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPT60R102G7XTMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ G7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 390µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1320 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
141W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-HSOF-8-2
Pacote / Estojo
8-PowerSFN
Número do produto base
IPT60R102
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPT60R102G7XTMA1
IPT60R102G7XTMA1DKR
IPT60R102G7XTMA1CT
INFINFIPT60R102G7XTMA1
IPT60R102G7XTMA1TR
SP001579318
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRFR24N15DTRPBF
MOSFET N-CH 150V 24A DPAK
IPC90R800C3X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPDD60R150G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 16A HDSOP-10
