Número do Produto do Fabricante:
IPT111N20NFDATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPT111N20NFDATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
Descrição Detalhada:
N-Channel 200 V 96A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventário:
6592 Pcs Novo Original Em Estoque
12803495
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ENVIAR
IPT111N20NFDATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
96A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.1mOhm @ 96A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 267µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7000 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
375W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-HSOF-8-1
Pacote / Estojo
8-PowerSFN
Número do produto base
IPT111
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPT111N20NFDATMA1TR
IPT111N20NFDATMA1DKR
IPT111N20NFDATMA1CT
SP001340384
IPT111N20NFDATMA1-DG
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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