Número do Produto do Fabricante:
IPS80R2K0P7AKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPS80R2K0P7AKMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-342
Inventário:
12805543
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IPS80R2K0P7AKMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™ P7
Status do produto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 940mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
175 pF @ 500 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
24W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO251-3-342
Pacote / Estojo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número do produto base
IPS80R2
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
INFINFIPS80R2K0P7AKMA1
2156-IPS80R2K0P7AKMA1
SP001634926
Pacote padrão
1,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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