Número do Produto do Fabricante:
IPP90R1K2C3XKSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPP90R1K2C3XKSA2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventário:
12804127
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPP90R1K2C3XKSA2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
900 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
5.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 310µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
710 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3-1
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IPP90R1
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPP90R1K2C3XKSA2-DG
448-IPP90R1K2C3XKSA2
2156-IPP90R1K2C3XKSA2-448
SP002548894
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPA95R1K2P7XKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
510
NÚMERO DA PEÇA
IPA95R1K2P7XKSA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.63
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRF100B201
MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
IRF7809AVTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8SO
IRF6633ATR1PBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
