Número do Produto do Fabricante:
IPP77N06S212AKSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPP77N06S212AKSA2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 77A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventário:
500 Pcs Novo Original Em Estoque
12804890
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPP77N06S212AKSA2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
77A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 38A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 93µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1770 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
158W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3-1
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IPP77N06
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001061292
IPP77N06S212AKSA2-DG
448-IPP77N06S212AKSA2
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRFS3307PBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
IPL60R185CFD7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 14A 4VSON
IRF2805PBF
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
