Número do Produto do Fabricante:
IPP60R125P6XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPP60R125P6XKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventário:
12804032
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IPP60R125P6XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™ P6
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 11.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 960µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2660 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
219W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IPP60R125
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPP60R125P6XKSA1-DG
448-IPP60R125P6XKSA1
SP001114648
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FCP125N60E
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
253
NÚMERO DA PEÇA
FCP125N60E-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.44
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
FCP130N60
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
127
NÚMERO DA PEÇA
FCP130N60-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.72
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
AOTF42S60L
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1270
NÚMERO DA PEÇA
AOTF42S60L-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.89
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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