IPP330P10NMAKSA1
Número do Produto do Fabricante:

IPP330P10NMAKSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPP330P10NMAKSA1-DG

Descrição:

TRENCH >=100V PG-TO220-3
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 6.9A (Ta), 62A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Inventário:

438 Pcs Novo Original Em Estoque
12973589
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IPP330P10NMAKSA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.9A (Ta), 62A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 53A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 5.55mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
236 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11000 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IPP330P

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SP005343871
448-IPP330P10NMAKSA1
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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