Número do Produto do Fabricante:
IPP129N10NF2SAKMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPP129N10NF2SAKMA1-DG
Descrição:
TRENCH >=100V
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 52A (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventário:
1021 Pcs Novo Original Em Estoque
12951096
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IPP129N10NF2SAKMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
StrongIRFET™ 2
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Ta), 52A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.8V @ 30µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 71W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IPP129N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPP129N10NF2SAKMA1
SP005549093
2156-IPP129N10NF2SAKMA1
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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