Número do Produto do Fabricante:
IPP120P04P4L03AKSA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPP120P04P4L03AKSA2-DG
Descrição:
MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Descrição Detalhada:
P-Channel 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventário:
686 Pcs Novo Original Em Estoque
12928907
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IPP120P04P4L03AKSA2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
OptiMOS®-P2
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 340µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
234 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+5V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
15000 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3-1
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IPP120
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP002581210
448-IPP120P04P4L03AKSA2
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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