Número do Produto do Fabricante:
IPP114N03LGHKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPP114N03LGHKSA1-DG
Descrição:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 38W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventário:
12496 Pcs Novo Original Em Estoque
12954963
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IPP114N03LGHKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Bulk
Série
OptiMOS™ 3
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
38W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3-1
Pacote / Estojo
TO-220-3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
IFEINFIPP114N03LGHKSA1
2156-IPP114N03LGHKSA1
Pacote padrão
944
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
Not applicable
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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