Número do Produto do Fabricante:
IPP076N15N5AKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPP076N15N5AKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 150 V 112A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventário:
1901 Pcs Novo Original Em Estoque
12858988
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IPP076N15N5AKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
OptiMOS™ 5
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
150 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
112A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.6mOhm @ 56A, 10
vgs(th) (máx) @ id
4.6V @ 160µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4700 pF @ 75 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IPP076
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPP076N15N5AKSA1
SP001180658
IPP076N15N5AKSA1-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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