Número do Produto do Fabricante:
IPP048N12N3GXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPP048N12N3GXKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 120 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventário:
1395 Pcs Novo Original Em Estoque
12801133
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IPP048N12N3GXKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
120 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 230µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
182 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12000 pF @ 60 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3-1
Pacote / Estojo
TO-220-3
Número do produto base
IPP048
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP000652734
IPP048N12N3 G-DG
IPP048N12N3G
INFINFIPP048N12N3GXKSA1
IPP048N12N3 G
2156-IPP048N12N3GXKSA1
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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