Número do Produto do Fabricante:
IPN95R2K0P7ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPN95R2K0P7ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Descrição Detalhada:
N-Channel 950 V 4A (Tc) 7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventário:
23838 Pcs Novo Original Em Estoque
12805025
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IPN95R2K0P7ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ P7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
950 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 1.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 80µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
330 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT223
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Número do produto base
IPN95R2
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPN95R2K0P7ATMA1DKR
SP001821834
IPN95R2K0P7ATMA1TR
IPN95R2K0P7ATMA1CT
2156-IPN95R2K0P7ATMA1TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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