Número do Produto do Fabricante:
IPN60R3K4CEATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPN60R3K4CEATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223-3
Inventário:
2502 Pcs Novo Original Em Estoque
12800678
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IPN60R3K4CEATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ CE
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 40µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
93 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-SOT223-3
Pacote / Estojo
TO-261-4, TO-261AA
Número do produto base
IPN60R3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPN60R3K4CEATMA1DKR
IPN60R3K4CEATMA1CT
IPN60R3K4CEATMA1TR
SP001434888
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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