Número do Produto do Fabricante:
IPL65R310E6AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPL65R310E6AUMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 13.1A THIN-PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 13.1A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventário:
12801925
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPL65R310E6AUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™ E6
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
13.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 400µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
950 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-VSON-4
Pacote / Estojo
4-PowerTSFN
Número do produto base
IPL65R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
ROCINFIPL65R310E6AUMA1
2156-IPL65R310E6AUMA1-ITTR
SP000895216
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPL65R070C7AUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3784
NÚMERO DA PEÇA
IPL65R070C7AUMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.94
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
BTS244Z E3062A
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5-62
BSS169 E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
BSC019N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
