Número do Produto do Fabricante:
IPL65R1K0C6SATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPL65R1K0C6SATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 4.2A THIN-PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 4.2A (Tc) 34.7W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
Inventário:
12800085
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPL65R1K0C6SATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ C6
Status do produto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
328 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
34.7W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TSON-8-2
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
IPL65R1
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001163084
2156-IPL65R1K0C6SATMA1
ROCINFIPL65R1K0C6SATMA1
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IPLK60R1K0PFD7ATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.37
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IPB160N04S4H1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
BTS121AE3045ANTMA1
MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
IPP05CN10NGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
