Número do Produto do Fabricante:
IPL65R190E6AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPL65R190E6AUMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventário:
12801164
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IPL65R190E6AUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™ E6
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 700µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1620 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
151W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-VSON-4
Pacote / Estojo
4-PowerTSFN
Número do produto base
IPL65R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001074938
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPL65R070C7AUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
3784
NÚMERO DA PEÇA
IPL65R070C7AUMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.94
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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