Número do Produto do Fabricante:
IPL65R099C7AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPL65R099C7AUMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 21A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventário:
9332 Pcs Novo Original Em Estoque
12818138
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IPL65R099C7AUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ C7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 590µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2140 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
128W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-VSON-4
Pacote / Estojo
4-PowerTSFN
Número do produto base
IPL65R099
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPL65R099C7AUMA1DKR
448-IPL65R099C7AUMA1CT
IFEINFIPL65R099C7AUMA1
SP001032722
2156-IPL65R099C7AUMA1
IPL65R099C7AUMA1-DG
448-IPL65R099C7AUMA1TR
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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