Número do Produto do Fabricante:
IPL60R2K1C6SATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPL60R2K1C6SATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 2.3A THIN-PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 2.3A (Tc) 21.6W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
Inventário:
12800879
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IPL60R2K1C6SATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™ C6
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 760mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 60µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
140 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
21.6W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TSON-8-2
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
IPL60R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
INFINFIPL60R2K1C6SATMA1
2156-IPL60R2K1C6SATMA1
SP001163026
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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