IPL60R105P7AUMA1
Número do Produto do Fabricante:

IPL60R105P7AUMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPL60R105P7AUMA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 33A 4VSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 33A (Tc) 137W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4

Inventário:

8698 Pcs Novo Original Em Estoque
12859576
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IPL60R105P7AUMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ P7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 530µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1952 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
137W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-VSON-4
Pacote / Estojo
4-PowerTSFN
Número do produto base
IPL60R

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
IPL60R105P7AUMA1DKR
IPL60R105P7AUMA1TR
IPL60R105P7
INFINFIPL60R105P7AUMA1
IPL60R105P7AUMA1CT
IPL60R105P7AUMA1-DG
SP001657410
2156-IPL60R105P7AUMA1
Pacote padrão
3,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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