Número do Produto do Fabricante:
IPL60R065C7AUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPL60R065C7AUMA1-DG
Descrição:
MOSFET HIGH POWER_NEW
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4-1
Inventário:
2100 Pcs Novo Original Em Estoque
12806053
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IPL60R065C7AUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ C7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 15.9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 800µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2850 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-VSON-4-1
Pacote / Estojo
4-PowerTSFN
Número do produto base
IPL60R065
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPL60R065C7AUMA1TR
IPL60R065C7AUMA1-DG
SP001385034
448-IPL60R065C7AUMA1TR
448-IPL60R065C7AUMA1DKR
448-IPL60R065C7AUMA1CT
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
2A (4 Weeks)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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