Número do Produto do Fabricante:
IPI90R800C3XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPI90R800C3XKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 900 V 6.9A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventário:
12805925
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPI90R800C3XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
900 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 460µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
104W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
IPI90R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP000683086
IFEINFIPI90R800C3XKSA1
2156-IPI90R800C3XKSA1-IT
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STP10N95K5
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1044
NÚMERO DA PEÇA
STP10N95K5-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.42
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRFU3910PBF
MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
IRLR8743PBF
MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
IPP80N06S2H5AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3