Número do Produto do Fabricante:
IPI80N06S3L06XK
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPI80N06S3L06XK-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventário:
12804204
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IPI80N06S3L06XK Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.9mOhm @ 56A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 80µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
196 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9417 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
136W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
IPI80N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPI80N06S3L-06IN-DG
IPI80N06S3L-06IN
IPI80N06S3L-06
IPI80N06S3L-06-DG
IPI80N06S3L06X
SP000088002
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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