Número do Produto do Fabricante:
IPI65R190C6XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPI65R190C6XKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventário:
480 Pcs Novo Original Em Estoque
12804219
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPI65R190C6XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 730µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1620 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
151W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
IPI65R190
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP000863900
IPI65R190C6
IPI65R190C6-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRFR5505PBF
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
IPS65R650CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3
IRF7322D1PBF
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO
